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MT49H16M18CBM-33

型号:

MT49H16M18CBM-33

品牌:

Micron

封装:

-

描述:

DDR DRAM, 16MX18, 0.3ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, MICRO, BGA-144

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    144

  • 终端数量

    144

  • 1.8 V

  • Compliant

  • BGA, BGA144,12X18,40/32

  • GRID ARRAY

  • 16000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • BGA144,12X18,40/32

  • 30

  • 0.3 ns

  • Yes

  • MT49H16M18CBM-33

  • 300 MHz

  • 16777216 words

  • 1.8 V

  • BGA

  • RECTANGULAR

  • Micron Technology Inc

  • Obsolete

  • MICRON TECHNOLOGY INC

  • 5.68

  • BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    95 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 附加功能

    AUTO REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    300 MHz

  • 引脚数量

    144

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B144

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电源电压

    1.8 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.5/1.8,1.8,2.5 V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 电压

    1.8 V

  • 最大电源电压

    1.9 V

  • 最小电源电压

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    525 mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    16MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    0.93 mm

  • 内存宽度

    18

  • 地址总线宽度

    23 b

  • 密度

    288 Mb

  • 记忆密度

    301989888 bit

  • 最高频率

    300 MHz

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 交错突发长度

    2,4,8

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 电源电压(直流)

    1.8 V

  • 宽度

    11 mm

  • 长度

    18.5 mm

  • 无铅

    Lead Free

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