底架

Surface Mount

表面安装

YES

引脚数

84

终端数量

84

Compliant

TFBGA, BGA84,9X15,32

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

64000000

PLASTIC/EPOXY

BGA84,9X15,32

30

0.4 ns

85 °C

Yes

MT47H64M16HR-25E:G

400 MHz

67108864 words

1.8 V

TFBGA

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

Obsolete

MICRON TECHNOLOGY INC

7.73

BGA

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.32

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

端口的数量

1

电源电流

320 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.44 mA

访问时间

400 ps

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

16 b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.007 A

记忆密度

1073741824 bit

最高频率

800 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

MULTI BANK PAGE BURST

自我刷新

YES

宽度

8 mm

长度

12.5 mm

无铅

Lead Free