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MT46V16M16P-6TIT
-
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
66
TSSOP, TSSOP66,.46
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
16000000
PLASTIC/EPOXY
TSSOP66,.46
-40 °C
30
0.7 ns
85 °C
Yes
MT46V16M16P-6TIT
167 MHz
16777216 words
2.5 V
TSSOP
RECTANGULAR
Micron Technology Inc
Obsolete
MICRON TECHNOLOGY INC
5.59
TSOP
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm