![MT29F1G16ABBHC-ET:B](https://res.utmel.com/Images/category/Uncategorized.png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
63
GRID ARRAY, FINE PITCH
1
128000000
PLASTIC/EPOXY
BGA63,10X12,32
-40 °C
30
45 ns
85 °C
Yes
MT29F1G16ABBHC-ET:B
134217728 words
1.8 V
FBGA
RECTANGULAR
Micron Technology Inc
Active
MICRON TECHNOLOGY INC
5.72
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
类型
SLC NAND TYPE
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
Flash Memories
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
Not Qualified
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
电源电流-最大值
0.02 mA
访问时间
30
组织结构
128MX16
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
64K
页面尺寸
1K words
准备就绪/忙碌
YES