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MT47H128M8HQ-3:G
-
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
表面安装
YES
引脚数
60
终端数量
60
Compliant
TFBGA, BGA60,9X11,32
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
128000000
PLASTIC/EPOXY
BGA60,9X11,32
30
0.45 ns
85 °C
Yes
MT47H128M8HQ-3:G
333 MHz
134217728 words
1.8 V
TFBGA
RECTANGULAR
Micron Technology Inc
Obsolete
MICRON TECHNOLOGY INC
7.52
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
端口的数量
1
电源电流
135 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.28 mA
访问时间
450 ps
组织结构
128MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
17 b
密度
1 Gb
记忆密度
1073741824 bit
最高频率
667 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
11.5 mm
无铅
Lead Free