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GS882Z18CGD-150I

型号:

GS882Z18CGD-150I

封装:

BGA-165

描述:

ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 包装/外壳

    BGA-165

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Yes

  • 150 MHz

  • + 85 C

  • 3.6 V

  • - 40 C

  • 72

  • 2.3 V

  • SMD/SMT

  • Parallel

  • GSI Technology

  • GSI Technology

  • NBT SRAM

  • Details

  • SDR

  • LBGA,

  • GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • 3

  • 512000

  • PLASTIC/EPOXY

  • -40 °C

  • NOT SPECIFIED

  • 7.5 ns

  • 85 °C

  • Yes

  • GS882Z18CGD-150I

  • 524288 words

  • 2.5 V

  • LBGA

  • RECTANGULAR

  • Active

  • GSI TECHNOLOGY

  • 5.13

  • BGA

  • 系列

    GS882Z18CGD

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 类型

    NBT Pipeline/Flow Through

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    165

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 内存大小

    9 Mbit

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    140 mA, 150 mA

  • 访问时间

    7.5 ns

  • 组织结构

    512 k x 18

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    18

  • 产品类别

    SRAM

  • 记忆密度

    9437184 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    ZBT SRAM

  • 产品类别

    SRAM

  • 宽度

    13 mm

  • 长度

    15 mm

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