包装/外壳

BGA-165

Yes

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

N

SDR

系列

GS816132DD

包装

Tray

类型

Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

18 Mbit

电源电流-最大值

230 mA, 250 mA

访问时间

5.5 ns

组织结构

512 k x 32

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM