工厂交货时间

7 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

终端数量

119

83.3@Flow-Through/100@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

128 kWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

Surface Mount

Yes

100 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

84

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

Details

SDR

BGA, BGA119,7X17,50

GRID ARRAY

128000

PLASTIC/EPOXY

BGA119,7X17,50

-40 °C

NOT SPECIFIED

12 ns

85 °C

Yes

GS842Z36CGB-100I

100 MHz

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.35

BGA

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS842Z36CGB

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT Pipeline/Flow Through

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

4 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

130 mA, 140 mA

访问时间

12 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

128 k x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

17 Bit

产品类别

SRAM

密度

4 Mbit

待机电流-最大值

0.045 A

记忆密度

4718592 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm