工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

Yes

250 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SigmaSIO DDR-II

Details

DDR

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

3

512000

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

0.45 ns

70 °C

Yes

GS8182S36BGD-250

524288 words

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.15

BGA

系列

GS8182S36BGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

Yes

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaSIO DDR-II

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

PIPELINED ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

18 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

515 mA

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm