工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

142.8@Flow-Through/166@Pipelined MHz

FBGA

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

36 Bit

2.7, 3.6 V

Yes

166 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

15

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

SDR

BGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY

3

2000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

-40 °C

NOT SPECIFIED

7 ns

85 °C

No

GS8644Z36E-166I

166 MHz

2097152 words

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.14

BGA

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8644Z36E

包装

Tray

无铅代码

No

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT

附加功能

ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY; PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

72 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

285 mA, 345 mA

访问时间

7@Flow-Through/3.5@P

组织结构

2 M x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.5 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.16 A

记忆密度

72

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

15 mm

长度

17 mm