工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

终端数量

100

153.8 MHz

TQFP

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

512 kWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

Surface Mount

Yes

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

LQFP, QFP100,.63X.87

FLATPACK, LOW PROFILE

3

512000

PLASTIC/EPOXY

QFP100,.63X.87

-40 °C

NOT SPECIFIED

6.5 ns

85 °C

Yes

GS880F18CGT-6.5I

153 MHz

2.5 V

LQFP

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.36

QFP

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS880F18CGT

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Flow Through

端子表面处理

PURE MATTE TIN

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

9 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

150 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through

组织结构

512 k x 18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

18 Bit

产品类别

SRAM

密度

9 Mbit

待机电流-最大值

0.045 A

记忆密度

9437184 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

CACHE SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm