包装/外壳

BGA-119

Yes

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

84

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

SDR

系列

GS842Z36CB

包装

Tray

类型

NBT Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

4 Mbit

电源电流-最大值

155 mA, 195 mA

访问时间

5.5 ns

组织结构

128 k x 36

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM