规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
7 Weeks
包装/外壳
BGA-119
表面安装
YES
终端数量
119
Yes
100 MHz
+ 85 C
3.6 V
- 40 C
84
2.3 V
SMD/SMT
Parallel
GSI Technology
GSI Technology
NBT SRAM
SDR
BGA, BGA119,7X17,50
GRID ARRAY
256000
PLASTIC/EPOXY
BGA119,7X17,50
12 ns
70 °C
No
GS842Z18CB-100I
100 MHz
262144 words
2.5 V
BGA
RECTANGULAR
Active
GSI TECHNOLOGY
5.36
BGA
系列
GS842Z18CB
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
NBT Pipeline/Flow Through
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5/3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
内存大小
4 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
130 mA
访问时间
12 ns
组织结构
256 k x 18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.99 mm
内存宽度
18
产品类别
SRAM
待机电流-最大值
0.045 A
记忆密度
4718592 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
2.3 V
产品类别
SRAM
宽度
14 mm
长度
22 mm