工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

终端数量

119

Yes

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

42

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

N

SDR

BGA,

GRID ARRAY

256000

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

5.5 ns

70 °C

No

GS88236CB-250

262144 words

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.13

BGA

系列

GS88236CB

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Pipeline/Flow Through

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

9 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

155 mA, 195 mA

访问时间

5.5 ns

组织结构

256 k x 36

座位高度-最大

1.77 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

CACHE SRAM

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm