包装/外壳

BGA-165

Yes

250 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

Details

SDR

系列

GS881Z36CGD

包装

Tray

类型

NBT Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

9 Mbit

电源电流-最大值

175 mA, 215 mA

访问时间

5.5 ns

组织结构

256 k x 36

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM