包装/外壳

TQFP-100

Yes

150 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

Details

SDR

系列

GS881Z32CGT

包装

Tray

类型

NBT Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

9 Mbit

电源电流-最大值

150 mA, 160 mA

访问时间

7.5 ns

组织结构

256 k x 32

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM