包装/外壳

TQFP-100

Yes

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

系列

GS881E18CGT

包装

Tray

类型

DCD Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

9 Mbit

电源电流-最大值

120 mA, 130 mA

访问时间

7.5 ns

组织结构

512 k x 18

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM