工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

终端数量

100

Yes

200 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

LQFP, QFP100,.63X.87

FLATPACK, LOW PROFILE

3

256000

PLASTIC/EPOXY

QFP100,.63X.87

NOT SPECIFIED

6.5 ns

70 °C

Yes

GS880E36CGT-200

262144 words

2.5 V

LQFP

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.61

QFP

系列

GS880E36CGT

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

DCD

端子表面处理

PURE MATTE TIN

附加功能

PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

9 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

140 mA, 170 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

256 k x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.025 A

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

CACHE SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm