包装/外壳

TQFP-100

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

TQFP

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

512 kWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

Surface Mount

Yes

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS880E18CGT

包装

Tray

类型

DCD

子类别

Memory & Data Storage

引脚数量

100

内存大小

9 Mbit

端口的数量

2

电源电流-最大值

150 mA, 175 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 18

地址总线宽度

18 Bit

产品类别

SRAM

密度

9 Mbit

筛选水平

Industrial

产品类别

SRAM