工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

300 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

8 Bit

1.9 V

Surface Mount

Yes

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SigmaDDR-II+

DDR

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

4000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

-40 °C

NOT SPECIFIED

0.45 ns

85 °C

No

GS8342TT07BD-300I

300 MHz

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.36

BGA

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS8342TT07BD

包装

Tray

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-II+ B2

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

36 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

460 mA

建筑学

Pipelined

组织结构

4 M x 8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

21 Bit

产品类别

SRAM

密度

36 Mbit

记忆密度

33554432 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm