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GS8342D09BD-250I
BGA-165
QDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
终端数量
165
250 MHz
1.8000 V
1.7 V
Synchronous
9 Bit
1.9 V
Yes
250 MHz
+ 85 C
1.9 V
- 40 C
15
1.7 V
SMD/SMT
Parallel
GSI Technology
GSI Technology
SigmaQuad-II
DDR
LBGA, BGA165,11X15,40
GRID ARRAY, LOW PROFILE
4000000
PLASTIC/EPOXY
BGA165,11X15,40
-40 °C
0.45 ns
85 °C
No
GS8342D09BD-250I
250 MHz
4194304 words
1.8 V
LBGA
RECTANGULAR
Active
GSI TECHNOLOGY
5.35
BGA
Industrial grade
操作温度
-40 to 100 °C
系列
GS8342D09BD
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
SigmaQuad-II
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
内存大小
36 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
470 mA
访问时间
0.45
组织结构
4 M x 9
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
9
产品类别
SRAM
待机电流-最大值
0.195 A
记忆密度
36
筛选水平
Industrial
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
QDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
产品类别
SRAM
宽度
13 mm
长度
15 mm