工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

Surface Mount

Yes

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

14

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

N

SDR

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

1000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

NOT SPECIFIED

7.5 ns

70 °C

No

GS8322Z36AD-150

150 MHz

2.5 V

LBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.12

BGA

Commercial grade

操作温度

0 to 85 °C

系列

GS8322Z36AD

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT Pipeline/Flow Through

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

36 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

190 mA, 200 mA

访问时间

7.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

密度

36 Mbit

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

37748736 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm