工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-209

表面安装

YES

终端数量

209

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

72 Bit

2.7, 3.6 V

Yes

200 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

14

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

LBGA, BGA209,11X19,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

3

512000

PLASTIC/EPOXY

BGA209,11X19,40

NOT SPECIFIED

7.5 ns

70 °C

Yes

GS832272GC-200

200 MHz

524288 words

2.5 V

LBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

1.45

BGA

Commercial grade

操作温度

0 to 70 °C

系列

GS832272GC

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

Yes

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SCD/DCD Pipeline/Flow Through

端子表面处理

TIN SILVER COPPER

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

209

JESD-30代码

R-PBGA-B209

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

36 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

235 mA, 320 mA

访问时间

7.5@Flow-Through/3@P

组织结构

512 k x 72

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

72

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.06 A

记忆密度

36

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

CACHE SRAM

待机电压-最小值

2.38 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm