工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

终端数量

119

181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

2 MWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

Surface Mount

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

BGA, BGA119,7X17,50

GRID ARRAY

2000000

PLASTIC/EPOXY

BGA119,7X17,50

NOT SPECIFIED

5.5 ns

70 °C

No

GS832218AB-250

250 MHz

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

GSI Technology

Active

GSI TECHNOLOGY

5.11

BGA

Commercial grade

操作温度

0 to 85 °C

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

36 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

215 mA, 255 mA

访问时间

5.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

2 M x 18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

21 Bit

密度

36 Mbit

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

37748736 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

CACHE SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

宽度

14 mm

长度

22 mm