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GS8182R36BD-250

型号:

GS8182R36BD-250

封装:

-

描述:

DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • LBGA,

  • GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • 512000

  • PLASTIC/EPOXY

  • NOT SPECIFIED

  • 0.45 ns

  • 70 °C

  • No

  • GS8182R36BD-250

  • 524288 words

  • 1.8 V

  • LBGA

  • RECTANGULAR

  • GSI Technology

  • Active

  • GSI TECHNOLOGY

  • 5.19

  • BGA

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    PIPELINED ARCHITECTURE

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    165

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    512KX36

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    36

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    DDR SRAM

  • 宽度

    13 mm

  • 长度

    15 mm

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