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GS8182R36BD-250
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DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
终端数量
165
LBGA,
GRID ARRAY, LOW PROFILE
512000
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
0.45 ns
70 °C
No
GS8182R36BD-250
524288 words
1.8 V
LBGA
RECTANGULAR
GSI Technology
Active
GSI TECHNOLOGY
5.19
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512KX36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
宽度
13 mm
长度
15 mm