工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

终端数量

119

Yes

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

21

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

SDR

BGA,

GRID ARRAY

512000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

NOT SPECIFIED

6.5 ns

85 °C

No

GS8162Z36DB-200I

524288 words

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.25

BGA

系列

GS8162Z36DB

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT Pipeline/Flow Through

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

18 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

230 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

ZBT SRAM

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm