包装/外壳

BGA-119

250@Flow-Through/400@Pipelined MHz

FBGA

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

36 Bit

2.7, 3.6 V

Yes

400 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

21

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

操作温度

0 to 85 °C

系列

GS816236DGB

包装

Tray

类型

Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

引脚数量

119

内存大小

18 Mbit

电源电流-最大值

280 mA, 365 mA

访问时间

4@Flow-Through/2.5@P

组织结构

512 k x 36

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

记忆密度

18

产品类别

SRAM