工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

FBGA

SDR

1.8, 2.5 V

1.7, 2.3 V

Synchronous

1 MWords

18 Bit

2, 2.7 V

Surface Mount

Yes

200 MHz

+ 85 C

2.7 V

- 40 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

SDR

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

1000000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

NOT SPECIFIED

6.5 ns

85 °C

No

GS816218DD-200IV

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.25

BGA

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS816218DD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Pipeline/Flow Through

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

电源电压-最大值(Vsup)

2 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

210 mA, 215 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

CACHE SRAM

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm