包装/外壳

BGA-119

222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

Surface Mount

Yes

333 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

21

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

N

SDR

Commercial grade

操作温度

0 to 85 °C

系列

GS816218DB

包装

Tray

类型

Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

引脚数量

119

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

电源电流-最大值

240 mA, 285 mA

访问时间

4.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

筛选水平

Commercial

产品类别

SRAM