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GS8161Z18DGT-250V

型号:

GS8161Z18DGT-250V

封装:

TQFP-100

描述:

ZBT SRAM, 1MX18, 5.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    TQFP-100

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    100

  • 181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

  • TQFP

  • SDR

  • 1.8, 2.5 V

  • 1.7, 2.3 V

  • Synchronous

  • 1 MWords

  • 18 Bit

  • 2, 2.7 V

  • Surface Mount

  • 250 MHz

  • + 70 C

  • 2.7 V

  • 0 C

  • 1.7 V

  • SMD/SMT

  • Parallel

  • LQFP,

  • FLATPACK, LOW PROFILE

  • 1000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • NOT SPECIFIED

  • 5.5 ns

  • 70 °C

  • Yes

  • GS8161Z18DGT-250V

  • 1.8 V

  • LQFP

  • RECTANGULAR

  • GSI Technology

  • Active

  • GSI TECHNOLOGY

  • 5.26

  • QFP

  • Commercial grade

  • 操作温度

    0 to 85 °C

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 附加功能

    ALSO OPERATES AT 2.5V

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    100

  • JESD-30代码

    R-PQFP-G100

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 内存大小

    18 Mbit

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    205 mA, 225 mA

  • 访问时间

    5.5 ns

  • 建筑学

    Flow-Through/Pipelined

  • 组织结构

    1 M x 18

  • 座位高度-最大

    1.6 mm

  • 内存宽度

    18

  • 地址总线宽度

    20 Bit

  • 密度

    18 Mbit

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 筛选水平

    Commercial

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    ZBT SRAM

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    20 mm

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