工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

FBGA

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

18 Bit

2.7, 3.6 V

Yes

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

NBT SRAM

SDR

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

1000000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

NOT SPECIFIED

6.5 ns

85 °C

No

GS8161Z18DD-200I

1048576 words

2.5 V

LBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.26

BGA

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8161Z18DD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT

附加功能

FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

18 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

215 mA

访问时间

6.5@Flow-Through/3@P

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

记忆密度

18

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

ZBT SRAM

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm