包装/外壳

BGA-165

181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

FBGA

SDR

1.8, 2.5 V

1.7, 2.3 V

Synchronous

512 kWords

36 Bit

2, 2.7 V

Surface Mount

Yes

250 MHz

+ 70 C

2.7 V

0 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

SDR

Commercial grade

操作温度

0 to 70 °C

系列

GS8161E36DD

包装

Tray

类型

DCD Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

引脚数量

165

内存大小

18 Mbit

端口的数量

4

电源电流-最大值

225 mA, 245 mA

访问时间

5.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 36

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

筛选水平

Commercial

产品类别

SRAM