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GS8161E32DGT-250
TQFP-100
GS8161E32DGT-250 pdf数据手册 和 Memory 产品详情来自 GSI Technology 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TQFP-100
Yes
250 MHz
+ 70 C
3.6 V
0 C
36
2.3 V
SMD/SMT
Parallel
GSI Technology
GSI Technology
NBT SRAM
Details
SDR
系列
GS8161E32DGT
包装
Tray
类型
DCD Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
18 Mbit
电源电流-最大值
230 mA, 250 mA
访问时间
5.5 ns
组织结构
512 k x 32
产品类别
SRAM
产品类别
SRAM