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GS8161E32DGT-200IV
TQFP-100
GS8161E32DGT-200IV pdf数据手册 和 Memory 产品详情来自 GSI Technology 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TQFP-100
Yes
200 MHz
+ 85 C
2.7 V
- 40 C
18
1.7 V
SMD/SMT
Parallel
GSI Technology
GSI Technology
NBT SRAM
Details
SDR
系列
GS8161E32DGT
包装
Tray
类型
DCD Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
18 Mbit
电源电流-最大值
225 mA, 230 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
512 k x 32
产品类别
SRAM
产品类别
SRAM