GS8161E18DGD-200I
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Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
终端数量
165
153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz
FBGA
SDR
2.5, 3.3 V
2.3, 3 V
Synchronous
1 MWords
18 Bit
2.7, 3.6 V
Surface Mount
LBGA,
GRID ARRAY, LOW PROFILE
1000000
PLASTIC/EPOXY
-40 °C
NOT SPECIFIED
6.5 ns
85 °C
Yes
GS8161E18DGD-200I
2.5 V
LBGA
RECTANGULAR
GSI Technology
Active
GSI TECHNOLOGY
5.29
BGA
Industrial grade
操作温度
-40 to 85 °C
ECCN 代码
3A991.B.2.B
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
1MX18
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
地址总线宽度
20 Bit
密度
18 Mbit
记忆密度
18874368 bit
筛选水平
Industrial
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
CACHE SRAM
宽度
13 mm
长度
15 mm