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GS816136DGT-150
TQFP-100
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TQFP-100
表面安装
YES
终端数量
100
Yes
150 MHz
+ 70 C
3.6 V
0 C
36
2.3 V
SMD/SMT
Parallel
GSI Technology
GSI Technology
SyncBurst
Details
SDR
QFP,
FLATPACK
512000
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
7.5 ns
70 °C
Yes
GS816136DGT-150
524288 words
2.5 V
QFP
RECTANGULAR
Active
GSI TECHNOLOGY
QFP
5.26
系列
GS816136DGT
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
Pipeline/Flow Through
附加功能
FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
引脚数量
100
JESD-30代码
R-PQFP-G100
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
内存大小
18 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
180 mA, 190 mA
访问时间
7.5 ns
组织结构
512 k x 36
内存宽度
36
产品类别
SRAM
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
CACHE SRAM
产品类别
SRAM