包装/外壳

BGA-165

Yes

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

系列

GS816132DGD

包装

Tray

类型

Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

18 Mbit

电源电流-最大值

230 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

512 k x 32

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM