包装/外壳

BGA-165

200@Flow-Through/333@Pipelined MHz

FBGA

SDR

1.8, 2.5 V

1.7, 2.3 V

Synchronous

1 MWords

18 Bit

2, 2.7 V

Surface Mount

Yes

333 MHz

+ 100 C

2.7 V

- 40 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

SDR

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS816118DD

包装

Tray

类型

Synchronous Burst

子类别

Memory & Data Storage

引脚数量

165

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

电源电流-最大值

240 mA, 300 mA

访问时间

5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

筛选水平

Industrial

产品类别

SRAM