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GS8160E36DGT-150V
TQFP-100
GS8160E36DGT-150V pdf数据手册 和 Memory 产品详情来自 GSI Technology 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TQFP-100
150 MHz
TQFP
SDR
2.5, 3.3 V
2.3, 3 V
Synchronous
512 kWords
36 Bit
2.7, 3.6 V
Surface Mount
Yes
150 MHz
+ 85 C
2.7 V
0 C
18
1.7 V
SMD/SMT
Parallel
SDR
Details
SyncBurst
GSI Technology
GSI Technology
Commercial grade
操作温度
0 to 70 °C
系列
GS8160E36DGT
包装
Tray
类型
DCD Synchronous Burst
子类别
Memory & Data Storage
引脚数量
100
内存大小
18 Mbit
端口的数量
4
电源电流-最大值
175 mA, 190 mA
访问时间
7.5 ns
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
512 k x 36
地址总线宽度
19 Bit
产品类别
SRAM
密度
18 Mbit
筛选水平
Commercial
产品类别
SRAM