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GS8160E32DGT-200V
TQFP-100
GS8160E32DGT-200V pdf数据手册 和 Memory 产品详情来自 GSI Technology 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TQFP-100
200 MHz
TQFP
SDR
1.8, 2.5 V
1.7, 2.3 V
Synchronous
512 kWords
32 Bit
2, 2.7 V
Surface Mount
Yes
200 MHz
+ 85 C
2.7 V
0 C
18
1.7 V
SMD/SMT
Parallel
GSI Technology
GSI Technology
SyncBurst
Details
SDR
Commercial grade
操作温度
0 to 70 °C
系列
GS8160E32DGT
包装
Tray
类型
DCD Synchronous Burst
子类别
Memory & Data Storage
引脚数量
100
内存大小
18 Mbit
端口的数量
4
电源电流-最大值
205 mA, 210 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
512 k x 32
产品类别
SRAM
密度
18 Mbit
筛选水平
Commercial
产品类别
SRAM