包装/外壳

TQFP-100

Yes

200 MHz

+ 100 C

3.6 V

- 40 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

SyncBurst

Details

SDR

系列

GS8160E18DGT

包装

Tray

类型

Pipeline/Flow Through

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

18 Mbit

电源电流-最大值

215 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

1 M x 18

产品类别

SRAM

产品类别

SRAM