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GS816018BGT-150

型号:

GS816018BGT-150

封装:

-

描述:

Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    100

  • LQFP, QFP100,.63X.87

  • FLATPACK, LOW PROFILE

  • 3

  • 1000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • QFP100,.63X.87

  • NOT SPECIFIED

  • 7.5 ns

  • 70 °C

  • Yes

  • GS816018BGT-150

  • 150 MHz

  • 1048576 words

  • 2.5 V

  • LQFP

  • RECTANGULAR

  • GSI Technology

  • Obsolete

  • GSI TECHNOLOGY

  • 5.39

  • QFP

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 端子表面处理

    PURE MATTE TIN

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    100

  • JESD-30代码

    R-PQFP-G100

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7 V

  • 电源

    2.5/3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.185 mA

  • 组织结构

    1MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.6 mm

  • 内存宽度

    18

  • 待机电流-最大值

    0.04 A

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    CACHE SRAM

  • 待机电压-最小值

    2.3 V

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    20 mm

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