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GS81302Q18GE-250

型号:

GS81302Q18GE-250

封装:

BGA-165

描述:

DDR SRAM, 8MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    BGA-165

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • 250 MHz

  • FBGA

  • QDR

  • 1.8000 V

  • Synchronous

  • 8 MWords

  • 18 Bit

  • Surface Mount

  • Yes

  • 250 MHz

  • + 70 C

  • 1.9 V

  • 0 C

  • 10

  • 1.7 V

  • SMD/SMT

  • Parallel

  • GSI Technology

  • GSI Technology

  • SigmaQuad-II

  • Details

  • QDR-II

  • LBGA,

  • GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • 3

  • 8000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • NOT SPECIFIED

  • 0.45 ns

  • 70 °C

  • Yes

  • GS81302Q18GE-250

  • 1.8 V

  • LBGA

  • RECTANGULAR

  • Not Recommended

  • GSI TECHNOLOGY

  • 7.61

  • BGA

  • Commercial grade

  • 操作温度

    0 to 85 °C

  • 系列

    GS81302Q18GE

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 类型

    SigmaQuad-II

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    PIPELINED ARCHITECTURE

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    165

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 内存大小

    144 Mbit

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    1.06 A

  • 访问时间

    450 ps

  • 建筑学

    Pipelined

  • 组织结构

    8 M x 18

  • 座位高度-最大

    1.5 mm

  • 内存宽度

    18

  • 地址总线宽度

    22 Bit

  • 产品类别

    SRAM

  • 密度

    144 Mbit

  • 记忆密度

    150994944 bit

  • 筛选水平

    Commercial

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    DDR SRAM

  • 产品类别

    SRAM

  • 宽度

    15 mm

  • 长度

    17 mm

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