工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

BGA-48

表面安装

YES

终端数量

48

FBGA

3.3000 V

3 V

Asynchronous

256 kWords

16 Bit

3.6 V

Surface Mount

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

135

3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI Technology

GSI Technology

Details

SDR

TFBGA, BGA48,6X8,30

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

3

256000

PLASTIC/EPOXY

BGA48,6X8,30

-40 °C

NOT SPECIFIED

8 ns

85 °C

Yes

GS74116AGX-8I

3.3 V

TFBGA

RECTANGULAR

Active

GSI TECHNOLOGY

5.2

BGA

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS74116AGX

JESD-609代码

e1

无铅代码

Yes

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Asynchronous

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

内存大小

4 Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

140 mA

访问时间

8 ns

组织结构

256 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

18 Bit

产品类别

SRAM

密度

4 Mbit

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

STANDARD SRAM

待机电压-最小值

3 V

产品类别

SRAM

宽度

6 mm

长度

10 mm