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STD5407NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
7.6A Ta 38A Tc
5V 10V
1
2.9W Ta 75W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.9W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 32V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
7.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.026Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75A
DS 击穿电压-最小值
40V
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
-
STD5407NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40V
7.6 A
7.6A (Ta), 38A (Tc)
20 V
2.9 W
2.9W (Ta), 75W (Tc)
±20V
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30V
12 A
12A (Tc)
20 V
-
40W (Tc)
±20V
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
33 A
33A (Tc)
20 V
40 W
40W (Tc)
±20V
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
38 A
7.6A (Ta), 38A (Tc)
20 V
75 W
75W (Tc)
±20V
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
38 A
7.6A (Ta), 38A (Tc)
20 V
75 W
2.9W (Ta), 75W (Tc)
±20V
STD5407NT4G PDF数据手册
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- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
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