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NVD5806NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 40V DPAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
表面安装
YES
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
Surface Mount
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
40W Tc
1
4.5V 10V
33A Tc
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
40W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
33A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.019Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
67A
雪崩能量等级(Eas)
39 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)Moisture Sensitivity Level (MSL)
-
NVD5806NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
33 A
33A (Tc)
20 V
40 W
40W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 A
11A (Ta), 40A (Tc)
20 V
40 W
40W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
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ATPAK (2 leads+tab)
40 A
40A (Ta)
20 V
40 W
40W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
38 A
7.6A (Ta), 38A (Tc)
20 V
75 W
2.9W (Ta), 75W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
NVD5806NT4G PDF数据手册
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