STD26P3LLH6
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
12A Tc
4.5V 10V
1
40W Tc
24 ns
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
5.5mOhm
终端形式
GULL WING
基本部件号
STD26P
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
21 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
-2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STD26P3LLH6 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :