![SGS10N60RUFDTU](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ffpf60b150dstu-9158.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
11 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
引脚数
3
质量
2.27g
晶体管元件材料
SILICON
300V, 10A, 20 Ω, 15V
1
600V
已出版
2013
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
55W
额定电流
10A
基本部件号
SG*10N60
元素配置
Single
功率耗散
55W
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
16A
反向恢复时间
60ns
接通时间
49 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 10A
关断时间-标准值(toff)
284 ns
闸门收费
30nC
集极脉冲电流(Icm)
30A
Td(开/关)@25°C
15ns/36ns
开关能量
141μJ (on), 215μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8V
最大下降时间 (tf)
220ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery Time
-
SGS10N60RUFDTU
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
16 A
55 W
55 W
2.2 V
60ns
-
Through Hole
TO-220-3
600 V
16 A
208 W
75 W
2.2 V
42 ns
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
19 A
52 W
52 W
1.8 V
67 ns
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
17 A
45 W
45 W
1.95 V
42 ns
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
14 A
45 W
45 W
2 V
65ns
SGS10N60RUFDTU PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :