![NTD4963NT4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ntd5867nlt4g-2631.jpg)
NTD4963NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
8.1A Ta 44A Tc
4.5V 10V
1
1.1W Ta 35.7W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
9.6MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
35.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.6m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1035pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.2nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
8.1A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
33.8 mJ
栅源电压
2.5 V
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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8.1 A
8.1A (Ta), 44A (Tc)
2.5 V
20 V
35.7 W
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
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58 A
13A (Ta), 58A (Tc)
2.5 V
20 V
55 W
55W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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12.7 A
9.4A (Ta), 41A (Tc)
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20 V
26.3 W
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
37 A
8.2A (Ta), 37A (Tc)
-
20 V
-
1.37W (Ta), 27.3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4963NT4G PDF数据手册
- 数据表 :
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