![NTD4910NT4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ntd5867nlt4g-2631.jpg)
NTD4910NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 37A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
8.2A Ta 37A Tc
4.5V 10V
1
1.37W Ta 27.3W Tc
16.5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1203pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
37A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.013Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
152A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
25.3 mJ
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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30V
37 A
8.2A (Ta), 37A (Tc)
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1.37W (Ta), 27.3W (Tc)
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55W (Tc)
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8.1A (Ta), 44A (Tc)
20 V
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NTD4910NT4G PDF数据手册
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- PCN 报废/ EOL :
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